Модуль памяти 8GB Samsung DDR5 5600 SO DIMM Laptop Non-ECC, CL46, 1.1V, 1Rx16, Bulk (M425R1GB4PB0-CWM)
Модуль памяти 8GB Samsung DDR5 5600 SO DIMM Laptop Non-ECC, CL46, 1.1V, 1Rx16, Bulk (M425R1GB4PB0-CWM)
Артикул 218160
Гарантия 1 год
19 450 ₽
17 февраля, по предварительному заказу
65 шт. / под заказ
Перейти в корзину
Характеристики
Модель
M425R1GB4PB0-CWM
Назначение
для ноутбуков
Тип памяти
Unbuffered
Форм-фактор
SODIMM
Стандарт памяти
DDR5
Объем одного модуля, гб
8 ГБ
Количество модулей в комплекте, шт
1 шт
Суммарный объем, гб
8 ГБ
Эффективная частота, мгц
5600 МГц
Пропускная способность, мб/с
44800
Количество чипов на модуле, шт
4 шт
Количество ранков
1
Количество контактов
262
Тайминги
Cas latency (cl)
46
Ras to cas delay (trcd)
46
Row precharge delay (trp)
46
Прочие характеристики
Напряжение питания, в
1.1 В
Вид поставки
OEM
Комплект поставки
Модуль памяти
Основные характеристики
Комплект поставки
Модуль памяти
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем
без предупреждения, данная информация не является договором или публичной офертой.
13 700 ₽ 
