Основные характеристики
Объем одного модуля, ГБ
16 ГБ
Количество модулей в комплекте, шт
1 шт
Эффективная частота, МГц
5600 МГц
Пропускная способность, Мб/ с
44800
Количество чипов на модуле, шт
8 шт
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
45
Row Precharge Delay (tRP)
45
Прочие характеристики
Напряжение питания, В
1.1 В
Особенности
Поддержка AMD EXPO
Комплект поставки
Модуль памяти, документация (опция)
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
