Привезем 17.11.25 в 10:00 по предварительному заказу
Гарантия 1 год
100 шт. / под заказ
Характеристики
Среднее время наработки на отказ (MTBF) , тыс. час.
1500 тыс. час.
Прочие характеристики
Ударостойкость
1500G/ 0.5мс
Температура эксплуатации
0...+70C
Наличие радиатора
Да
Суммарное число записываемых Байт (TBW) , ТБ
600 ТБ
Вес, г
10.2
Особенности
Графеновый радиатор
Тип комплектации
RTL
Комплект поставки
Накопитель, документация, теплораспределительная пластина (может быть предустановлена)
Тип
Внутренний твердотельный накопитель
Модель
AP1TBAS2280Q4X-1
Основные характеристики
Высота, мм
3.5 мм
Глубина, мм
22 мм
Назначение
РасшСписокЗначений
Форм-фактор накопителя
M.2 2280
Номинальный объем, ГБ
1024 ГБ
Тип памяти
3D NAND
Максимальная скорость чтения, МБ/ с
5000 МБ/ с
Максимальная скорость записи, МБ/ с
4400 МБ/ с
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ) , kIOPS
750 kIOPS
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ) , kIOPS
750 kIOPS
Интерфейс
PCI-E
Версия PCI-E
PCIe 4.0 x4
Поддержка NVMe
Да
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
