Привезем 16.02.26 в 10:00 по предварительному заказу
Гарантия 1 год
есть / под заказ
Характеристики
Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ) , kIOPS
750 kIOPS
Вес, г
10.2
Особенности
Графеновый радиатор
Тип комплектации
RTL
Высота, мм
3.5 мм
Глубина, мм
22 мм
Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ) , kIOPS
750 kIOPS
Интерфейс
PCI-E
Ударостойкость
1500G/ 0.5мс
Температура эксплуатации
0...+70C
Наличие радиатора
Да
Номинальный объем, ГБ
1024 ГБ
Тип памяти
3D NAND
Модель
AP1TBAS2280Q4X-1
Назначение
для ноутбуков/ компьютеров
Максимальная скорость записи, МБ/ с
4400 МБ/ с
Прочие характеристики
Тип
Внутренний твердотельный накопитель
Форм-фактор накопителя
M.2 2280
Среднее время наработки на отказ (MTBF) , тыс. час.
1500 тыс. час.
Суммарное число записываемых Байт (TBW) , ТБ
600 ТБ
Комплект поставки
Накопитель, документация, теплораспределительная пластина (может быть предустановлена)
Основные характеристики
Версия PCI-E
PCIe 4.0 x4
Поддержка NVMe
Да
Максимальная скорость чтения, МБ/ с
5000 МБ/ с
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
