Базовые характеристики
Количество модулей в комплекте
1
Пропускная способность
21300
Количество чипов на модуле
9
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
Прочие характеристики
Особенности
HYNIX (C-DIE) . Synchronous DRAM w/ Parity
Комплект поставки
Модуль памяти
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
