Базовые характеристики
Количество модулей в комплекте
1
Пропускная способность
25600
Особенности
MICRON (R-DIE) . Synchronous DRAM w/ Parity
Количество чипов на модуле
9
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
22
Row Precharge Delay (tRP)
22
Комплект поставки
Модуль памяти
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
