Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/W 7450/6900MB/s, IOPs 1 400 000/1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 (MZ-V9P4T0BW)

Твердотельный накопитель SSD Samsung M.2 2280 4TB 990 PRO NVMe 2.0, PCIe 4.0 x4, V-NAND TLC, R/ W 7450/ 6900MB/ s, IOPs 1 400 000/ 1 550 000, DRAM buffer 4096MB, TBW 2400, DWPD 0.33 (MZ-V9P4T0BW)

Артикул: 153615

56 000

Привезем 09.02.26 в 10:00
по предварительному заказу

Гарантия 1 год

100 шт. / под заказ

Характеристики

Форм-фактор накопителя

M.2 2280

Номинальный объем, ГБ

4000 ГБ

Основные характеристики

Ударостойкость

1500G/ 0.5мс

Температура эксплуатации

0...+70C

Высота, мм

80 мм

Глубина, мм

2.29999999999999 мм

Вес, г

Особенности

Поддержка TRIM, S.M.A.R.T.

Тип комплектации

RTL

Комплект поставки

Накопитель, инструкция

Тип памяти

V-NAND TLC

Максимальная скорость чтения, МБ/ с

7450 МБ/ с

Максимальная скорость записи, МБ/ с

6900 МБ/ с

Скорость произвольного чтения (блоки по 4 кБ) , kIOPS

1600 kIOPS

Скорость произвольной записи (блоки по 4 кБ) , kIOPS

1550 kIOPS

Интерфейс

PCI-E

Версия PCI-E

PCIe 4.0 x4

Поддержка NVMe

Да

Среднее время наработки на отказ (MTBF) , тыс. час.

1500 тыс. час.

Энергопотребление при работе, max, Вт

8.5 Вт, max

Тип

Внутренний твердотельный накопитель

Серия продукции

990 PRO

Модель

MZ-V9P4T0BW

Назначение

для ноутбуков/ компьютеров

Прочие характеристики

Суммарное число записываемых Байт (TBW) , ТБ

2400 ТБ

Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.