Характеристики
Объем одного модуля, ГБ
24 ГБ
Эффективная частота, МГц
8000 МГц
Пропускная способность, Мб/ с
64000
Количество чипов на модуле, шт
8 шт
Тайминги
RAS to CAS Delay (tRCD)
48
Row Precharge Delay (tRP)
48
Напряжение питания, В
1.4 В
Нормальная операционная температура, °C
85 °C
Комплект поставки
Модуль памяти 2 шт, документация (опция)
Количество модулей в комплекте, шт
2 шт
Основные характеристики
Тип
Комплект модулей памяти
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
