Характеристики
Эффективная частота, МГц
5600 МГц
Пропускная способность, Мб/ с
44800
Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Количество модулей в комплекте, шт
2 шт
Количество чипов на модуле, шт
4 шт
Основные характеристики
RAS to CAS Delay (tRCD)
38
Row Precharge Delay (tRP)
38
Прочие характеристики
Напряжение питания, В
1.25 В
Нормальная операционная температура, °C
85 °C
Особенности
AMD EXPO v1.0, Intel Extreme Memory Profiles (Intel XMP) 3.0
Комплект поставки
Модуль памяти 2 шт, документация
Внешний вид товара, его свойства и характеристики могут быть изменены производителем без предупреждения! Предоставленная информация не является договором или публичной офертой.
